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產(chǎn)品詳細(xì)頁
平衡探測(cè)器

平衡探測(cè)器

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 更新時(shí)間:2023-12-21
  • 產(chǎn)品介紹:蝶形封裝光電平衡探測(cè)器集成了兩個(gè)匹配的超低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器,采用單電源供電??梢杂行У臏p少信號(hào)的共模噪聲,提高系統(tǒng)的信噪比。該探測(cè)器在兼具原模塊性能同時(shí)尺寸小、重量輕、功耗低特別適合于模 塊以及系統(tǒng)集成。
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 在線留言

產(chǎn)品介紹

品牌其他品牌價(jià)格區(qū)間面議
組件類別光學(xué)元件應(yīng)用領(lǐng)域醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,電子

InGaAs蝶形平衡探測(cè)器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

蝶形封裝光電平衡探測(cè)器集成了兩個(gè)匹配的超低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器,采用單電源供電。可以有效的減少信號(hào)的共模噪聲,提高系統(tǒng)的信噪比。該探測(cè)器在兼具原模塊性能同時(shí)尺寸小、重量輕、功耗低特別適合于模 塊以及系統(tǒng)集成。

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 噪聲低

  • 高增益

  • 高帶寬

  • 小尺寸

  • 單電源供電

應(yīng)用領(lǐng)域

  • 分布式光纖傳感

  • 激光測(cè)風(fēng)雷達(dá)

  • 光學(xué)相干層析

  • 光譜測(cè)量

  • ns 級(jí)光脈沖探測(cè)

產(chǎn)品參數(shù)


產(chǎn)品型號(hào)

DBD-100M-A

DBD-200M-A

DBD-300M-A

DBD-400M-A

DBD-500M-A

單位

探測(cè)器類型

InGaAs


波長(zhǎng)

800~1700

nm

帶寬

100M

200M

300M

400M

500M

Hz

探測(cè)器響應(yīng)度

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

A/W@1550nm

跨阻增益

30K

30K

30K

10K

5K

V/A

共模抑制比

>30

>30

>30

>30

>30

dB

最大輸入光功率

130

130

130

390

780

pw

NEP

5

5

5

7

7

pW/Sqrt(Hz)

輸出阻抗

50

50

50

50

50

Q

輸出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC


供電電壓

5

5

5

5

5

V

供電電流

0.2(max)

0.2(max)

0.2(max)

0.2(max)

0.2(max)

A

光學(xué)輸入

S   MFC/APC(PM可選)


射頻輸出

MCX(Female)


外形尺寸

25*22*10

mm


Si平衡探測(cè)器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

Si平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等特點(diǎn),可以有效的減少信號(hào)的共模噪聲,提高系統(tǒng)的信噪比。

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 噪聲低

  • 高增益

  • 高帶寬

  • 結(jié)構(gòu)緊湊

  • 內(nèi)置低噪隔離電源

應(yīng)用領(lǐng)域

  • 光纖傳感

  • 光纖通信

  • 激光測(cè)距

  • 光譜測(cè)量

  • ns 級(jí)光脈沖探測(cè)

產(chǎn)品參數(shù)


產(chǎn)品型號(hào)

MBD-100M-B

MBD-200M-B

MBD-300M-B

MBD-400M-B

MBD-500M-B

MBD-1G-B

MBD-2G-B

單位

探測(cè)器類型

Si


波長(zhǎng)

400~1100

nm

帶寬

100M

200M

300M

400M

500M

1G

2G

Hz

探測(cè)器響應(yīng)度

0.55

0.55

0.55

0.55

0.55

0.55

0.55

A/W@850nm

跨阻增益

30K

30K

30K

10K

5K

30K

15K

V/A

最大輸入光功率

240

240

240

725

1450

240

480

uW

NEP

11

11

11

14

18

20

20

pW/Sqrt(Hz)

輸出阻抗

50

50

50

50

50

50

50

Q

輸出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC

AC

AC


供電電壓

5

5

5

5

5

12

12

V

供電電流

0.3(max)

0.3(max)

0.3(max)

0.3(max)

0.3(max

0.3(max

0.3(max)

A

光學(xué)輸入

FC/APC(自由空間光可選)


射頻輸出

SMA


外形尺寸

62*47*25

mm


InGaAs超低噪平衡探測(cè)器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

UBD系系列超低噪平衡探測(cè)模塊是原MBD系系列基礎(chǔ)上升級(jí)產(chǎn)品,相比較原MBD系列在其他參數(shù)相同條件下其本底噪聲顯著降低,在相同帶寬以及增益條件下,其本底噪聲約為MBD系列模塊三分之一,因此靈敏度更高,信噪比更高。

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 超低噪聲

  • 高增益

  • 高帶寬

  • 結(jié)構(gòu)緊湊

  • 內(nèi)置低噪隔離電源

應(yīng)用領(lǐng)域

  • 分布式光纖傳感

  • 激光測(cè)風(fēng)雷達(dá)

  • 光學(xué)相干層析

  • 光譜測(cè)量

  • ns 級(jí)光脈沖探測(cè)

測(cè)試結(jié)果

產(chǎn)品參數(shù)


產(chǎn)品型號(hào)

UBD-100M-A

UBD-200M-A

UBD-300M-A

UBD-400M-A

UBD-500M-A

UBD-800M-A

UBD-1G-A

UBD-1.2G-A

UBD-1.5G-A

UBD-2G-A

UBD-2.5G-A

單位

探測(cè)器類型

InGaAs


波長(zhǎng)

800~1700

nm

帶寬

100M

200M

300M

400M

500M

800M

1G

1.2G

300M

400M

500M

Hz

探測(cè)器響應(yīng)度

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

A/W@1550nm

跨阻增益

30K

30K

30K

20K

10K

30K

30K

30K

30K

30K

30K

V/W

最大輸入光功率

140

140

140

210

420

140

140

140

140

140

140

uW

NEP

2.5

2.5

2.5

2.9

3.1

3.1

3.1

3.1

3.1

3.1

3.1

pW/Sqrt(Hz)

共模抑制比

>30

>30

>30

>30

>30

>30

>30

>30

>30

>30

>30

dB

輸出阻抗

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

Q

輸出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC

AC

AC

AC

AC

AC

AC


供電電壓

5

5

5

5

5

12

12

12

12

12

12


供電電流

0.5(max

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)


光學(xué)輸入

FC/APC(自由空間可選)


射頻輸出

SMA


外形尺寸

80*90*25

mm


InGaAs光電平衡探測(cè)器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

高速低噪聲光電平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電 源。具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等特點(diǎn),可以有效的減少信號(hào)的共模噪聲,提高系統(tǒng)的信噪比。

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 噪聲低

  • 高增益

  • 高帶寬

  • 結(jié)構(gòu)緊湊

  • 內(nèi)置低噪隔離電源

應(yīng)用領(lǐng)域

  • 分布式光纖傳感

  • 激光測(cè)風(fēng)雷達(dá)

  • 光學(xué)相干層析

  • 光譜測(cè)量

  • ns 級(jí)光脈沖探測(cè)

測(cè)試結(jié)果

產(chǎn)品參數(shù)


產(chǎn)品型號(hào)

MBD-100M-A

MBD-200M-A

MBD-300M-A

MBD-400M-A

MBD-500M-A

MBD-800M-A

MBD-1G-A

MBD-1.5G-A

MBD-2G-A

MBD-2.5G-A

單位

探測(cè)器類型

InGaAs


波長(zhǎng)

800~1700

nm

帶寬

100M

200M

300M

400M

500M

800M

1G

1.5G

2G

2.5G

Hz

探測(cè)器響應(yīng)度

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

A/W@1550nm

跨阻增益

30K

30K

30K

10K

5K

30K

30K

30K

15K

15K

V/A

最大輸入光功率

140

140

140

420

840

140

140

140

280

280

pw

NEP

5

5

5

7

7

9

9

9

9

9

pW/Sqrt(Hz)

輸出阻抗

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

Q

輸出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC

AC

AC

AC

AC

DC


供電電壓

5

5

5

5

5

12

12

12

12

12

V

供電電流

0.3(max)

0.3(max)

0.3(max)

0.3(max)

0.3(max)

0.3(max)

0.3(max)

0.3(max)

0.3(max)

0.3(max)


光學(xué)輸入

FC/APC(自由空間光可選)


射頻輸出

SMA


外形尺寸

62*47*25

75*55*25

mm


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