你的位置：首頁(yè) > 產(chǎn)品展示 > 光學(xué)儀器 > 光電探測(cè) >熱電堆紅外探測(cè)器
產(chǎn)品詳細(xì)頁(yè)
熱電堆紅外探測(cè)器
- 產(chǎn)品型號(hào)：
- 更新時(shí)間：2024-04-19
- 產(chǎn)品介紹：熱電堆紅外探測(cè)器 每個(gè)熱電堆探測(cè)器的基座由所謂的熱電偶形成。 由于兩種不同金屬（塞貝克效應(yīng)）的熱擴(kuò)散電流，它會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電壓。
- 廠商性質(zhì)：代理商
- 在線留言
產(chǎn)品介紹
| 品牌 | Micro-Hybrid | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組件類別 | 光學(xué)元件 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,電子,航天,綜合 |
熱電堆紅外探測(cè)器
每個(gè)熱電堆探測(cè)器的基座由所謂的熱電偶形成。 由于兩種不同金屬（塞貝克效應(yīng)）的熱擴(kuò)散電流，它會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電壓。
應(yīng)用:
遠(yuǎn)距離溫度測(cè)試
“應(yīng)用是由客戶設(shè)備的設(shè)計(jì)來(lái)定義的。我們的產(chǎn)品組合提供準(zhǔn)時(shí)和整體測(cè)量的產(chǎn)品。"
（Micro-Hybrid有限公司研發(fā)部主管Steffen Biermann）
工藝和產(chǎn)品溫度是制造工藝的重要物理指標(biāo)。 監(jiān)測(cè)溫度確保生產(chǎn)線的高質(zhì)量水平。 遠(yuǎn)程溫度測(cè)量非常適用于大距離，移動(dòng)部件或適用于各種工業(yè)領(lǐng)域的高溫應(yīng)用。
優(yōu)點(diǎn)：
響應(yīng)時(shí)間短
無(wú)反應(yīng)測(cè)量，對(duì)測(cè)量對(duì)象無(wú)影響
沒有破壞
連續(xù)實(shí)時(shí)監(jiān)控溫度臨界時(shí)間
熱電堆紅外探測(cè)器
我們?cè)?20°C190°C的外殼溫度范圍內(nèi)提供不同測(cè)量要求的傳感器類型。 我們的探測(cè)器適用于高溫測(cè)量的大多數(shù)應(yīng)用領(lǐng)域。
應(yīng)用 | 產(chǎn)品 |
準(zhǔn)時(shí)的溫度測(cè)量 | TS1 × 80B-A-D0.48-1-Kr-B1 |
積分溫度測(cè)量 | TS1 × 200B-A-D3.55-1-Kr-A1 |
高溫環(huán)境下的溫度測(cè)量 | TS1 × 80B-A-D0.48-1-Kr-B1-190 |
NDIR紅外氣體分析
Micro-Hybrid提供NDIR氣體分析的完整產(chǎn)品系列。 即使是惡劣的環(huán)境也不會(huì)阻礙我們的客戶升級(jí)自己的應(yīng)用。
優(yōu)點(diǎn)：
快速，可重復(fù)，長(zhǎng)期穩(wěn)定地測(cè)定各種紅外活性氣體的濃度
高精度和高分辨率的限制
在低漂移下的使用壽命長(zhǎng)，無(wú)化學(xué)反應(yīng)
高溫能力（190°C）
測(cè)量穩(wěn)定性高，即使在惡劣的環(huán)境下
NDIR氣體分析方案
確保和監(jiān)測(cè)過(guò)程穩(wěn)定性的氣體濃度的測(cè)量，在涉及氣體的所有工業(yè)過(guò)程中是關(guān)重要的。 氣體濃度的準(zhǔn)確和可再現(xiàn)的檢測(cè)是應(yīng)用的重要組成部分，特別是在醫(yī)療和環(huán)境技術(shù)中。 此外，NDIR（非分散紅外）氣體分析可以在私人或工業(yè)領(lǐng)域進(jìn)行寬帶或高度選擇性的有害物質(zhì)檢測(cè)，例如監(jiān)測(cè)和檢測(cè)爆炸性氣體和污染物。
它是測(cè)量這種氣體濃度的光學(xué)分析工具。 關(guān)于與紅外活性氣體的光學(xué)相互作用，NDIR分析是一個(gè)快速而有效的過(guò)程。
NDIR氣體測(cè)量的應(yīng)用領(lǐng)域：
根據(jù)不同的功能原理和我們的元件組合，我們會(huì)結(jié)合適合您的測(cè)量任務(wù)對(duì)應(yīng)氣體傳感器解決方案。 您可以從我們的產(chǎn)品查找器中訂購(gòu)單個(gè)產(chǎn)品樣品或直接的NDIR氣體分析專家。
氣體傳感器
CO2 氣體傳感器 | 甲烷氣體傳感器 |
耐190°C高溫 | 耐190°C高溫 |
紅外光源
JSIR 350-4 | JSIR 350-5 | JSIR 450 |
高頻率 | 超高頻率的 | "超高的輻射強(qiáng)度 |
熱電堆探測(cè)器
TS 80 | TS 200 |
高溫應(yīng)用 | 高靈敏度手持設(shè)備 |
熱釋電探測(cè)器
電流模式 | 電壓模式 |
*的靈敏度 | 電壓模式低頻率 |
特征：
使用BiSb / Sb等佳材料獲得良好的熱電堆效應(yīng)：
世界上棒的探測(cè)靈敏度*
靈敏度高達(dá)295 V / W
Micro-Hybrid相關(guān)產(chǎn)品使用，其*性高于其他紅外光源探測(cè)器產(chǎn)品組合
*高7.2 x 108 cm Hz1 / 2 / W
結(jié)構(gòu)概況
用于高溫應(yīng)用的熱電堆探測(cè)器
在高溫環(huán)境下對(duì)機(jī)器和過(guò)程進(jìn)行溫度監(jiān)測(cè)是一個(gè)的挑戰(zhàn)。 我們的高溫?zé)犭姸烟綔y(cè)器*符合各種工業(yè)應(yīng)用中的高溫等特殊要求。
特征：
應(yīng)用環(huán)境溫度可高達(dá)190°C
焊接濾波片（可選）
高靈敏度
耐高濕
適合化學(xué)分析過(guò)程
抵御侵蝕性氣體如甲烷，二氧化硫等
用于不同的溫度范圍和測(cè)量任務(wù)的熱釋電傳感器可以在這里找到：
信號(hào)作為測(cè)量對(duì)象溫度的函數(shù)
測(cè)量物體溫度變化時(shí)的信號(hào)II
通過(guò)改變環(huán)境溫度來(lái)修改信號(hào)
修改
我們的熱電堆傳感器可以在我們廣泛的可應(yīng)用范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)：傳感器芯片，紅外濾波片等。 通過(guò)這種方式，可以在各種應(yīng)用條件下始終獲得佳的測(cè)量結(jié)果。
產(chǎn)品選擇
TS1x200B-A-D3.55
單通道熱電堆探測(cè)器
基于MEMS技術(shù)的用于NDIR氣體分析的高敏感熱電堆探測(cè)器。
靈敏度[V / W] | 100 |
D* [cmHz?/W] | 3.6x10^8 |
光圈[mm2]: | 3.55 dia |
工作溫度[°C] | -20 … +70 |
封裝模式 | TO39 |
應(yīng)用 | NDIR氣體分析 |
通道數(shù) | 1 |
TS1x200B-B-D2.4
單通道熱電堆探測(cè)器
基于MEMS技術(shù)的用于NDIR氣體分析的高度敏感的熱電堆探測(cè)器。
靈敏度[V / W] | 100 |
D* [cmHz?/W] | 3.6x10^8 |
光圈[mm2]: | 2.4 dia |
工作溫度[°C] | -20 … +70 |
封裝模式 | TO46 |
應(yīng)用 | NDIR氣體分析 |
通道數(shù) | 1 |
TS1x80B-A-D0.48
單通道熱電堆探測(cè)器
基于MEMS技術(shù)的擁有較小有效區(qū)域的熱電堆探測(cè)器;推薦用于使用帶通濾波器的溫度測(cè)量。
靈敏度[V / W] | 295 |
D* [cmHz?/W] | 7.2x10^8 |
光圈[mm2]: | 0.48 dia |
工作溫度[°C] | -20 … +85 |
封裝模式 | TO39 |
應(yīng)用 | 溫度測(cè)量 |
通道數(shù) | 1 |
TS1x80B-A-D0.75
單通道熱電堆探測(cè)器
基于MEMS技術(shù)的具有較小有效區(qū)域的熱電堆探測(cè)器;推薦用于帶有帶通濾波器(8-14µm)的溫度測(cè)量。
靈敏度[V / W] | 295 |
D* [cmHz?/W] | 7.2x10^8 |
光圈[mm2]: | 0.75 dia |
工作溫度[°C] | -20 … +85 |
封裝模式 | TO39 |
應(yīng)用 | 溫度測(cè)量 |
通道數(shù) | 1 |
TS1x80B-A-D0.75-…-180
單通道熱電堆探測(cè)器
基于MEMS技術(shù)的具有較小有效區(qū)域的熱電堆探測(cè)器; 推薦用于在高溫環(huán)境下使用帶通濾波器（8-14 Lm）進(jìn)行溫度測(cè)量。
靈敏度[V / W] | 295 |
熱電堆探測(cè)器 | D* [cmHz?/W] |
D* [cmHz?/W] | 7.2x10^8 |
熱電堆探測(cè)器 | 光圈[mm2]: |
光圈[mm2]: | 0.75 dia |
熱電堆探測(cè)器 | 工作溫度[°C] |
工作溫度[°C] | -20 … +180 |
封裝模式 | TO39 |
熱電堆探測(cè)器 | 應(yīng)用 |
應(yīng)用 | 溫度測(cè)量 |
熱電堆探測(cè)器 | 通道數(shù) |
通道數(shù) | 1 |
TS2x200B-A-S1.5
雙通道熱電堆探測(cè)器
用于NDIR氣體分析的基于MEMS技術(shù)的帶有窄帶濾光片的高靈敏度熱電堆雙探測(cè)器。
靈敏度[V / W] | 100 |
D* [cmHz?/W] | 3.6x10^8 |
光圈[mm2]: | 1.5 x 1.5 |
工作溫度[°C] | -20 … +70 |
封裝模式 | TO39 |
應(yīng)用 | NDIR氣體分析 |
通道數(shù) | 2 |
TS4x200B-A-S1.5
四通道熱電堆探測(cè)器
用于NDIR氣體分析的基于MEMS技術(shù)的帶有窄帶濾波器的四通道熱電堆探測(cè)器。
靈敏度[V / W] | 100 |
D* [cmHz?/W] | 3.6x10^8 |
光圈[mm2]: | 1.5 x 1.5 |
工作溫度[°C] | -20 … +70 |
封裝模式 | TO39 |
應(yīng)用 | NDIR氣體分析 |
通道數(shù) | 4 |
TS4xQ200B-A-S1.5
四通道熱電堆探測(cè)器
基于薄膜技術(shù)的高靈敏度四通道熱電堆檢測(cè)器，帶窄帶過(guò)濾器，用于氣體分析。
通過(guò)“單芯片"解決方案對(duì)接電氣和物理通道參數(shù)。
靈敏度[V / W] | 80 |
D* [cmHz?/W] | 2.95x10^8 |
光圈[mm2]: | 1.5 x 1.5 |
工作溫度[°C] | -20 … +70 |
封裝模式 | TO39 |
應(yīng)用 | NDIR氣體分析 |
通道數(shù) | 4 |
